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國(guó)巨電容規(guī)格對(duì)照表國(guó)巨電容命名規(guī)則表

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國(guó)巨電容是一款高品質(zhì)表現明顯更佳、低成本的電容產(chǎn)品狀態,采用先進(jìn)的薄層化技術(shù),使得產(chǎn)品小型化指導、大容量廣泛認同,獨(dú)石結(jié)構(gòu)國際要求,確保產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度及可靠性,高尺寸精度鍛造,保證元件安裝的高效率競爭激烈,容量低漂移,可用于各種形式的應(yīng)用場(chǎng)景改善。國(guó)巨電容可以滿足LED電源空白區、工業(yè)電源等多種領(lǐng)域的需求,其有著與傳統(tǒng)電容相比較優(yōu)越的性能是目前主流,讓您能夠以更加低廉的價(jià)格獲得更加高品質(zhì)的產(chǎn)品充分發揮。那么您是否了解國(guó)巨電容規(guī)格型號(hào)都有哪些,以下國(guó)巨電容代理商深圳智成為您介紹充分發揮。

國(guó)巨電容規(guī)格型號(hào)大全對(duì)照表如下列表所示

貼片電容0201_X7R_6.3V100pF~10nF
貼片電容0201_X7R_10V100pF~10nF
貼片電容0201_X7R_16V100pF~10nF
貼片電容0201_X7R_25V100pF~1nF
貼片電容0201_X7R_50V100pF~470pF
貼片電容0201_X5R_4V220nF~4.7uF
貼片電容0201_X5R_6.3V100pF~2.2uF
貼片電容0201_X5R_10V100pF~2.2uF
貼片電容0201_X5R_16V100pF~470nF
貼片電容0201_X5R_25V100pF~10nF,22nF,100nF
貼片電容0201_X5R_50V100pF~1nF
貼片電容0201_NPO_25V0.22pF~100pF
貼片電容0201_NPO_50V0.22pF~100pF

國(guó)巨電容還擁有著高耐壓、高耐溫管理、高電流設計、高壽命的特點(diǎn),為不同的應(yīng)用場(chǎng)景提供了更安全改進措施、更可靠的選擇就此掀開。國(guó)巨電容針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景提供多種可選的規(guī)格,使您能夠更加精準(zhǔn)的選擇到適合的產(chǎn)品今年。此外穩步前行,我們還提供定制服務(wù),確保您能夠擁有更加滿意的產(chǎn)品動手能力。

國(guó)巨電容命名規(guī)則表如下所示

  • 例:國(guó)巨貼片電容:CC0805KKX7R9BB104
  • 【CC】:表明型號(hào)規(guī)格標(biāo)示逐步改善,為國(guó)巨多層陶瓷貼片電容。國(guó)巨電容器的一系列也有CA表明排容提升,CH表明高頻率電容器等持續。
  • 【0805】:表明規(guī)格,長(zhǎng)度為0.08英尺再獲,寬度為0.05英尺產品和服務。除此之外,比較常見的電容器規(guī)格也有0201體驗區,0402增多,0603,0805,0508有望,1206進一步推進,0612,1210標準,1808示範推廣,1812等。
  • 【K】:表明誤差,電容容量的偏差精密度為±10%大幅增加;此外A=±0.05PF特性,B=±0.1PF,C=±0.25PF等特點,D=±0.5PF建言直達,F(xiàn)=±1%,G=±2%將進一步,J=±5%充分發揮,K=±10%,M=±20%成就,Z=-20%~+80%重要方式。
  • 【K】:表明包裝方法,為7寸盤塑料帶外包裝系統。R:7寸盤紙帶外包裝非常重要;K=7寸盤塑料帶外包裝;P:13寸盤紙帶外包裝空間廣闊;F:13寸盤塑料帶外包裝營造一處。
  • 【X7R】:表明電容器材料。除此之外知識和技能,常見的電容器材料也有NPO取得顯著成效,X5R,Y5V更加廣闊,Z5U規劃。
  • 【9】:表明工作電壓為50V。4=4V方便,5=6.3V基礎上,6=10V,7=16V應用領域,8=25V保持競爭優勢,0=100V,A=200V發展機遇,B=500V長效機製,C=1KV,D=2KV全技術方案,E=3KV等分享。(留意:100V要用數(shù)據(jù)0表明,并不是英文字母O)
  • 【B】:表明端部材質(zhì)是鎳電級(jí)信息化。
  • 【B】:表明制造方式之一。N=NPO生動;B=Class2MLCC。
  • 【104】:表明阻值創新能力,前邊數(shù)字為有效位數(shù)新品技,第三個(gè)數(shù)字代表幾個(gè)零。101=100PF求得平衡,102=1000PF紮實做,103=10,000PF,104=100,000PF……依此類推至關重要。

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