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NPO和C0G相互之間的關(guān)系:NPO是美國軍用標(biāo)準(zhǔn)(MIL)中的說法設計,也許應(yīng)該是NP0(零)業務指導,但一般大家習(xí)慣寫成NPO(歐)這是Negative-Positive-Zero的略稱,用來透露的溫度特性說明NPO的電容溫度特性很好就此掀開,不隨反之亦然溫度變化而出現(xiàn)容值繞圈長足發展。
從前面我們已經(jīng)知道,C0G是I類陶瓷中溫度安定性最好的一種穩步前行,溫度特性近似為0結構不合理,滿足“負(fù)-正-零”的含義所以C0G也許和NPO是無異的,只不過是兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的兩種透露方法(當(dāng)然逐步改善,容值更小意見征詢、精度略緊接著的C0K、C0J等也是NPO電容)大大提高。
類似的的必然要求,U2J對應(yīng)于MIL標(biāo)準(zhǔn)中的各組代碼為N750NPO是?種更常?的有著溫度補(bǔ)償特性的單?陶瓷電容器它的去除介質(zhì)是由銣、釤和?些這類貴重氧化物組成的NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最安定的電容器之?在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化?于±0.3ΔC運行好。
NPO電容的繞圈或遲滯?于±0.05%首次,相對?于±2%的薄膜電容當(dāng)然是需要有忽略不計(jì)的其典型的容量相對使?壽命的變化?于±0.1%NPO電容器隨堆疊形式各有不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也各有不同,?堆疊尺?的要??堆疊尺?的頻率特性好部署安排。
下表給出了NPO電容器可挑出的容量范圍NPO電容器適合?于振蕩器搖籃、諧振器的槽路電容,以及?頻電路中的耦合電容推廣開來。
Ⅱ類陶瓷特點(diǎn):Ⅱ類陶瓷電容器(ClassⅡ ceramic capacitor)過去叫作為低頻陶瓷電容器(Low frequency ceramiccapacitor)推動,指有鐵電陶瓷作介質(zhì)的電容器,因此也稱鐵電陶瓷電容器資源配置。
這類電容器的比電容大信息,電容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大特性,常在電子設(shè)備中用來旁路傳承、耦合或用來這類對損耗和電容量安定性其要求不高的電路中其中Ⅱ類陶瓷電容器又分為安定級(jí)和會(huì)用級(jí)X5R、X7R僅限于Ⅱ類陶瓷的安定級(jí)建言直達,而Y5V和Z5U僅限于會(huì)用級(jí)多種。
X5R、X7R充分發揮、Y5V發展成就、Z5U相互之間的區(qū)別:區(qū)別主要還在于溫度范圍和容值隨溫度的變化特性上。下表提示了這些代號(hào)的含義重要方式。
以X7R為例X 代表電容最低可工作在-55℃7 代表電容最高可工作在+125℃R 代表容值隨溫度的變化為±15%同樣的開展面對面,Y5V高負(fù)荷工作溫度范圍在-30℃~+85℃, 對應(yīng)的電容容量變化為+22~-82%;而Z5U 高負(fù)荷工作溫度范圍在+10℃~+85℃非常重要,對應(yīng)的電容容量變化為+22~-56%進一步提升。
X7R電容器被叫作溫度安定型的陶瓷電容器當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%,需要有注意的是此時(shí)電容器容量變化是?線性的X7R電容器的容量在各有不同的電壓和頻率條件下是各有不同的高品質,它也隨時(shí)間的變化?變化不折不扣,?約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%資源優勢。
X7R電容器主要應(yīng)?于其要求不?的?業(yè)應(yīng)?高效利用,?且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是需要有接受的條件下它的主要特點(diǎn)是在大致相同的體積下電容量需要有做的?較?X7R/X7S/X5R/X6S電容器的特征值范圍如下拉沙泰格賴厄縣?(廠家各有不同特征值范圍有細(xì)密差異):。
Y5V電容器是?種有?定溫度限制的通?電容器估算,在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)+22%到-82%Y5V的?介電常數(shù)允許在較?的物理尺?下制造出?達(dá)4.7μF電容器Y5V電容器的別的技術(shù)指標(biāo)如下:?作溫度范圍講理論。
-30℃ ~+85℃溫度特性 +22% ~-82% 介質(zhì)損耗最? 5%Z5U電容器叫作”通?”陶瓷單?電容器這??先需要有考慮的是使?溫度范圍,鑒于Z5U電容器主要的是它的?尺?和低成本鑒于上述三種陶瓷單?電容器當(dāng)然在大致相同的體積下Z5U電容器有最?的電容量不要畏懼。
但它的電容量受環(huán)境和?作條件影響較?服務為一體,它的?化率最?可達(dá)每10年下降5%總體而言它的容量不安定問題,由于它有著?體積、配分函數(shù)串聯(lián)電感(ESL)和配分函數(shù)串聯(lián)電阻(ESR)低全會精神、優(yōu)良的頻率響應(yīng)系統穩定性,使其總體而言它的容量不安定,由于它有著?體積集中展示、配分函數(shù)串聯(lián)電感(ESL)和配分函數(shù)串聯(lián)電阻(ESR)低實力增強、優(yōu)良的頻率響應(yīng),使其有著?泛的應(yīng)?范圍探索創新。
尤其是在退耦電路的應(yīng)?中Z5U電容器的別的技術(shù)指標(biāo)如下:?作溫度范圍+10℃ ~ +85℃溫度特性 +22% ~-56% 介質(zhì)損耗最? 4%COG/NPO/Y5V/Z5U電容器的特征值范圍如下拉沙泰格賴厄縣?(廠家各有不同特征值范圍有細(xì)密差異):信息化。
貼片電阻在電路上出現(xiàn)問題,有可能是貼片電容本身質(zhì)量不良生動,亦有可能是設(shè)計(jì)時(shí)挑出規(guī)格差劣或是在表面Bokaro機(jī)械力熱沖擊等對貼片電容誘發(fā)一定的損傷等因素誘發(fā)正確選擇一顆貼片電容時(shí)新型儲能,除了要提供其規(guī)格尺寸及容量大小外,還必須特別注意到電路對這顆片式電容的溫度系數(shù)新品技、額定電壓等參數(shù)的其要求範圍。
貼片電容標(biāo)準(zhǔn)命名方法及定義:貼片電容的命名,國內(nèi)和國外的產(chǎn)家有一些區(qū)別呂齊縣包含的參數(shù)是無異的?