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1、標(biāo)稱電容量和允許偏差
標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量共創輝煌。

電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差具有重要意義，在允許的偏差范圍稱精度。
精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1高效、0（02）-±2應用創新、Ⅰ-±5、Ⅱ-±10機構、Ⅲ-±20的特性、Ⅳ-（?20-10）、Ⅴ-（?50-20）基礎、Ⅵ-（?50-30）
一般電容器常用Ⅰ提供堅實支撐、Ⅱ、Ⅲ級(jí)經過，電解電容器用Ⅳ簡單化、Ⅴ、Ⅵ級(jí)明確了方向，根據(jù)用途選取系統性。
2、額定電壓

在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值單產提升，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上傳遞，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿勞動精神，造成不可修復(fù)的永久損壞開展攻關合作。

3、絕緣電阻

直流電壓加在電容上預下達，并產(chǎn)生漏電電流的有效手段，兩者之比稱為絕緣電阻.
當(dāng)電容較小時(shí)，主要取決于電容的表面狀態(tài)方案，容量〉0.1uf時(shí)關鍵技術，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好深入。
電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)技術研究，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。

4開展研究、損耗

電容在電場(chǎng)作用下姿勢，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值首要任務，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗交流研討，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的更加完善。{X@wA{c=C\
在直流電場(chǎng)的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在相對較高，一般較小資源配置，在交變電場(chǎng)的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)相關，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)大力發展。

5、頻率特性

隨著頻率的上升生產效率，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律產能提升。